Gruodžio 23 d. Pohango technologijos universiteto Naujų medžiagų inžinerijos katedros tyrimų grupė paskelbė, kad jie sukūrė naujo tipo LED elementą, kuris skleidžia gilią ultravioletinę šviesą, pagrįstą daugiasluoksne grafeno sluoksnių ir šešiakampio boro nitrido (hBN) struktūra. sluoksniai. . Tyrėjų komanda paaiškino, kad iki šiol prietaisai, skleidžiantys giliuosius ultravioletinius spindulius, daugiausia naudojo komponentus, pagamintus iš gyvsidabrio arba aliuminio galio nitrido, tačiau šie tradiciniai komponentai turi problemų dėl taršos ar šviesos efektyvumo. Tyrimo rezultatai neseniai buvo paskelbti visame pasaulyje{1}}žinomame akademiniame žurnale „Nature Communications“.
▲ h-BN deep ultraviolet LED. Schematic showing strong deep ultraviolet emission using graphene, h-BN, and van der Waals heteronanomaterials with graphene structures (C)
Anot Pohango technologijos universiteto, pagrindinė medžiaga, šiuo metu naudojama giliųjų ultravioletinių spindulių LED tyrimams, yra aliuminio galio nitridas (toliau – AlxGa1-xN). Tačiau ši medžiaga turi esminį apribojimą – jos liuminescencinės savybės greitai blogėja, kai bangos ilgis trumpėja.
In order to break through this limitation, POSTECH uses h-BN as a device material, whose single-atom layer structure is similar to graphene and its appearance is transparent, so it is also called "white graphene".
Pranešama, kad, skirtingai nei AlxGa1-xN, jis skleidžia ryškią šviesą giliųjų ultravioletinių spindulių srityje ir yra laikoma nauja medžiaga, kurią galima naudoti kuriant giluminius ultravioletinius šviesos diodus. Tačiau dėl didelio juostos tarpo sunku įleisti elektronus ir skyles, todėl šviesos diodai negali būti pagaminti. Bet jei h-BN nanoplėvelei taikoma stipri įtampa, per tunelio efektą gali būti įšvirkšti elektronai ir skylės. Todėl buvo pagaminti LED prietaisai, pagrįsti van der Waals nevienalyčių nanomedžiagų sudėjimu su grafenu, h-BN ir grafenu, o giluminė UV spektroskopija patvirtino, kad tikrasis prietaisas skleidžia stiprią UV šviesą.
Professor Jin Zhonghuan from the Department of Materials Science and Engineering of the university said: "The development of new high-efficiency LED materials in a new wavelength range can be a starting point for the application of optical devices. The significance of this research on h-BN lies in the realization of deep ultraviolet LED manufacturing. .
In addition, compared with the existing AlxGa1-xN material, it has significantly higher luminous efficiency, and the device can be miniaturized. "
