"Micro LED" reiškia technologiją, kuri naudoja mikronų skalės šviesos diodus kaip šviesos diodus kaip šviesos diodus ir surenka juos su vairavimo moduliais, kad sudarytų didelio tankio ekrano masyvą. Palyginti su dabartinėmis pagrindinėmis ekrano technologijomis, tokiomis kaip LCD ir OLED, "Micro LED" turi skirtingų kartų pranašumų ryškumo, skiriamosios gebos, energijos suvartojimo, tarnavimo laiko, reagavimo greičio ir šiluminio stabilumo požiūriu ir yra tarptautiniu mastu pripažinta būsima ekrano technologija.
Tačiau "Micro LED" industrializacija vis dar susiduria su daugybe iššūkių. Pirma, sunku suderinti mažo tankio ekranų įrenginių vairavimo reikalavimus. Antra, pramonėje populiarią masinio perdavimo technologiją sunku patenkinti didelės skiriamosios gebos ekranų plėtros poreikius sąnaudų ir derliaus požiūriu. Ypač itin didelės skiriamosios gebos programoms, tokioms kaip AR / VR, ne tik reikia, kad skiriamoji geba viršytų 3000PPI, bet ir ekrano pikseliai turi turėti greitesnį atsako dažnį.
Profesorius Zhang Rong iš "Xiamen Future Display Technology Research Institute" bendradarbiavo su Nandzingo universitetu, Pietryčių universitetu, "Tianma Microelectronics Co., Ltd." ir kitais padaliniais, kad pasiūlytų super skiriamosios gebos "Micro LED" ekrano technologijos sprendimą, pagrįstą MoS₂ plonos plėvelės tranzistoriaus vairuotojo grandine ir monolitine integracija.
Komanda sukūrė ne "masinio perdavimo" žemos temperatūros monolitinę heterogeninę integracijos technologiją, naudodama beveik neardomą didelio masto dvimačio puslaidininkio TFT gamybos procesą, kad pasiektų 32×32 masyvą iš 1270 PPI didelio ryškumo, didelės skiriamosios gebos mikrodisplays, jis gali patenkinti būsimas kryžmines programas, tokias kaip mikro ekranas, transporto priemonės ekranas ir matomas šviesos ryšys.
Tarp jų, palyginti su tradiciniu dvimačių puslaidininkių įrenginių procesu, naujas komandos sukurtas procesas pagerina plonų plėvelių tranzistorių našumą daugiau nei 200%, sumažina skirtumą 67%, o maksimali važiavimo srovė viršija 200μA/μm, kuri yra pranašesnė už IGZO, LTPS ir kitas komercines medžiagas. Parodykite didžiulį dvimačių puslaidininkių medžiagų pritaikymo potencialą ekrano vairavimo pramonėje.
Trimačiai monolitiniai mikro LED ekranai, varomi atomiškai plonų tranzistorių matricos
Tyrimo rezultatai parašyti straipsnyje "Trimatis monolitinis mikro-LED ekranas, varomas atomiškai plonos tranzistoriaus matricos" ir paskelbtas "Nature Nanotechnology" 2021 m. rugsėjo 9 d. (atitinkami autoriai yra profesorius Wang Xinran, profesorius Liu Bin, profesorius Shi Yi ir profesorius Zhang Rong).
Tai pirmas kartas pasaulyje, kai buvo integruotos dvi naujos aukštos kokybės dvimačių puslaidininkių TFT ir "Micro LED" technologijos, suteikiančios naują techninį maršrutą būsimai "Micro LED" ekrano technologijos plėtrai.
